Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 190мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт

Немає в наявності
Код товару: PMBF170,215
11,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PMBF170,215
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23; TO236AB
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 9,25Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,83Вт
Струм стока: 0,19А
Струм стоку в імпульсі: 1,2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 10А; Полюси: 2
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 10А; Полюси: 2

1632,67 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
15кА
Властивості вимикачів:
оптичний індикатор спрацьовування
Діаметр з'єднуючих шин:
0,8...2мм
Кількість полюсів:
2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 25ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 25ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,99 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 4,3кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6ARB
Резистор: thin film; 4,3кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6ARB

12,73 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 48МГц; UFQFPN32; 2÷3,6ВDC; STM32F0
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 48МГц; UFQFPN32; 2÷3,6ВDC; STM32F0

115,94 грн

Вид архітектури:
Cortex M0
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
CRC; DMA; PdR; PoR; PVD; PWM; RTC; watchdog
Інтерфейс:
HDMI CEC; I2C; SPI; USART x2; USB
Недоступний
Трансформатор: литий; 2,1ВА; 230ВAC; 12В; 12В; 88мА; 88мА; PCB; BVEI
Трансформатор: литий; 2,1ВА; 230ВAC; 12В; 12В; 88мА; 88мА; PCB; BVEI

434,62 грн

Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-6:2000; UL 5085-1; UL 5085-3
Вторинна напруга 1:
12В
Вторинна напруга 2:
12В
Зовнішні розміри:
32,5x27,5x27,4мм
Недоступний
Резистор: thick film; 576кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 576кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,59 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
576кОм
Резистор: thin film; 4,99кОм; 0201; 50мВт; ±0,1%; RT; -55÷125°C
Резистор: thin film; 4,99кОм; 0201; 50мВт; ±0,1%; RT; -55÷125°C

2,90 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
4,99кОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3