Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 191А; Idm: 1,08кА; 375Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: IRFS3006TRLPBF
95,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: IRFS3006TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 2,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 375Вт
Струм стока: 191А
Струм стоку в імпульсі: 1,08кА
Технологія: HEXFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷500мм; PNP; LIGHT-ON; 50мА
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷500мм; PNP; LIGHT-ON; 50мА

3883,68 грн

Дальність:
0...0,5м
Довжина відводів:
2м
Зовнішні розміри:
3,5x20,5x10мм
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 250В; X7R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 250В; X7R; ±20%; SMD; 1206

4,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

0,00 грн

Alias:
C0805C220JDGAC7800
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,2пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,2пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; 0201

0,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
7,2пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 30Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 30Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Електроізоляційна трубка; скловолокно; -55÷260°C; L: 30м
Електроізоляційна трубка; скловолокно; -55÷260°C; L: 30м

7669,80 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
захисна трубка
Властивості кабельних аксесуарів:
безгалогенні; низьке виділення диму
Діаметр зовнішній:
133мм
Довжина:
30м
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK