Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 200мА; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 200мА; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92
Brand: ONSEMI
SKU: 2N7000-D75Z
Price: 30.41 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: 2N7000-D75Z

30,41 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

2N7000-D75Z

Виробник:

ONSEMI

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Корпус:

TO92

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

60В

Опір в стані провідності:

9Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

0,4Вт

Струм стока:

0,2А

Струм стоку в імпульсі:

0,5А

Технологія:

DMOS

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Резистор: thin film; 953кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

8,49 грн

Вид резистора:
прецизійний

Допуск:
±0,5%

Корпус - дюйм:
1206

Корпус - мм:
3216

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6,6А; 190Вт; TO247; ESD

321,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 600В; 12А; 150Вт

190,70 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247

505,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
TO92

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
63нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3

346,55 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
76нКл

Корпус:
TO247-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
90нКл

Монтаж:
THT

Напруга затвор-джерело:
±20В