Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 40Вт; DPAK,TO252

Немає в наявності
Код товару: STD30N6LF6AG
26,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: STD30N6LF6AG
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 26нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 30мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 40Вт
Струм стока: 24А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Датчик: оптоволоконний; Спосіб спрац: на відбиття; 10м; Корпус: M6
Датчик: оптоволоконний; Спосіб спрац: на відбиття; 10м; Корпус: M6

6762,55 грн

Довжина проводу:
10м
Корпус датчика:
M6
Робоча температура:
-40...70°C
Спосіб спрацювання:
на відбиття
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 1206

3,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
1мкФ
Недоступний
Діод: TVS; 5кВт; 42,1В; 300А; односпрямована; ±5%; SMC; 5.0SMDJ
Діод: TVS; 5кВт; 42,1В; 300А; односпрямована; ±5%; SMC; 5.0SMDJ

41,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
36В
Недоступний
Резистор: thick film; 187кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 187кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,3А; Idm: 0,6А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,3А; Idm: 0,6А; 0,35Вт; SOT23

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 32А; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 32А; HSOP8

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42,8нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; Idm: 720А; 300Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; Idm: 720А; 300Вт; TO263-7

302,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
156нКл
Корпус:
TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 32А; 208Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 32А; 208Вт; автомобільна галузь

520,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
47нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; Idm: 20А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; Idm: 20А; 1,3Вт; SOT23

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 140А; Idm: 560А; 217Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 140А; Idm: 560А; 217Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
96нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
DFN5