1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3,3А; Idm: 15А; 2,1Вт; SOT89

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3,3А; Idm: 15А; 2,1Вт; SOT89
Немає в наявності
Код товару: DMN6070SY-13
34,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN6070SY-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 12,3нКл
Корпус: SOT89
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 0,11Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,1Вт
Струм стока: 3,3А
Струм стоку в імпульсі: 15А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5В; 1,5ВDC; 0,6А; DSBGA5; SMD
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5В; 1,5ВDC; 0,6А; DSBGA5; SMD

65,89 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
1,5В DC
Вихідний струм:
0,6А
Недоступний
Резистор: thick film; 30Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 30Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,19 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 82Ом; THT; 250мВт; ±2%; 250В; осьові; L: 3,2мм
Резистор: вуглецевий; 82Ом; THT; 250мВт; ±2%; 250В; осьові; L: 3,2мм

1,57 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,7мм
Довжина:
3,2мм
Допуск:
±2%
Маркер: кабельний; 10÷317мм; ПВХ; прозорий; UL94V-0; W: 11,3мм
Маркер: кабельний; 10÷317мм; ПВХ; прозорий; UL94V-0; W: 11,3мм

12,86 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
кабелів і проводів; монтаж кабельних стягувань
Висота:
66мм
Зовнішній діаметр проводу:
10...317мм
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 5В; 35нс; SO32; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 5В; 35нс; SO32; паралельний

162,82 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
Недоступний
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В

0,70 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 6,8мкФ; 25ВDC; SMD; B; 1210; ±10%; TPS
Конденсатор: танталовий; 6,8мкФ; 25ВDC; SMD; B; 1210; ±10%; TPS

18,56 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±10%
Ємність:
6,8мкФ
Корпус:
B
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 0,22А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 0,22А; 0,35Вт; SOT23

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
0,7нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,765А
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,765А

2,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,9нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK

240,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK

103,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,4нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь

729,22 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
PG-HDSOP-16
Монтаж:
SMD