Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 33А; Idm: 200А; 94Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: BXT170N06D
16,47 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BXT170N06D
Виробник: BRIDGELUX
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 49нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 94Вт
Струм стока: 33А
Струм стоку в імпульсі: 200А
Тип транзистора: N-MOSFET
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; Iробочий: 4,1А; ±20%; Isat: 3,7А
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; Iробочий: 4,1А; ±20%; Isat: 3,7А

47,52 грн

Висота:
3мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,7кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,29 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 0,6м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 0,6м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; PUR

1002,92 грн

Довжина кабелю:
0,6м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
помаранчевий
Недоступний
Резистор: thick film; 1,62кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 1,62кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,9пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 180Ом; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 180Ом; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; 100ppm/°C

0,16 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
180Ом
Недоступний
Резистор: thin film; 129кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 129кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268