1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 23А; 15Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 23А; 15Вт
Немає в наявності
Код товару: BUK6D210-60EX
19,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BUK6D210-60EX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 3,8нКл
Корпус: DFN6; SOT1220
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 456мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 15Вт
Струм стока: 4,1А
Струм стоку в імпульсі: 23А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 52; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 52; SMT; 3A; 100V

301,57 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 11; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 11; THT; 3A; 250V

78,56 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; SMT; 3A; 100V

209,71 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Резистор: thick film; 6,2Ом; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,2Ом; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷155°C

0,61 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Діод: випрямний Шотткі; THT; 60В; 15А; ITO220AB; Ufmax: 580мВ
Діод: випрямний Шотткі; THT; 60В; 15А; ITO220AB; Ufmax: 580мВ

95,03 грн

Зворотна напруга макс.:
60В
Корпус:
ITO220AB
Монтаж:
THT
Пряма напруга макс.:
0,58В
Недоступний
Резистор: thick film; 33кОм; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 33кОм; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷155°C

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 33,2Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 33,2Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

0,25 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268