Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 50Вт; PG-TDSON-8

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 50Вт; PG-TDSON-8
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: BSC110N06NS3GATMA1
Price: 16.66 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: BSC110N06NS3GATMA1

16,66 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 5000

Крок додавання: 5000

Код товару:

BSC110N06NS3GATMA1

Виробник:

INFINEON TECHNOLOGIES

Вид каналу:

збагачений

Корпус:

PG-TDSON-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

60В

Опір в стані провідності:

11мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

50Вт

Струм стока:

50А

Технологія:

OptiMOS™ 3

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 66А; 33Вт; DFN5x6

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
64нКл

Корпус:
DFN5x6

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; Idm: 680мА; 0,36Вт

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 2Вт; SOT26

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Корпус:
SOT26

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,2А; Idm: 20А; 110Вт

71,59 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
24нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,2А; 0,9Вт; PowerDI®3333-8

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Корпус:
PowerDI®3333-8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5А; 1,4Вт; SC59

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Корпус:
SC59

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 500мА; Idm: 1,2А; 500мВт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
0,95нКл