1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 6,1А; 5Вт; SO8

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 6,1А; 5Вт; SO8
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDS5351
44,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDS5351
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 27нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 58,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5Вт
Струм стока: 6,1А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET
Транзистор: NPN; біполярний; 25В; 0,8А; 310мВт; SOT23
Транзистор: NPN; біполярний; 25В; 0,8А; 310мВт; SOT23

5,70 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
25В
Трансформатор: тороїдальний; 600ВА; 230ВAC; 35В; 35В; 8,57А; 8,57А
Трансформатор: тороїдальний; 600ВА; 230ВAC; 35В; 35В; 8,57А; 8,57А

6075,78 грн

Виводи:
проводи
Висота:
68мм
Відповідність стандарту:
PN EN 61558
Вторинна напруга 1:
35В
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 51В; односпрямована; DO15,DO204AC; P6KE
Діод: TVS; 0,6кВт; 51В; односпрямована; DO15,DO204AC; P6KE

4,62 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Корпус:
DO15; DO204AC
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
51В
Недоступний
Обрізний інстр; для труб; Ø26мм макс.
Обрізний інстр; для труб; Ø26мм макс.

3687,28 грн

Діапазон різки:
Ø26мм макс.
Застосування кусачок/ножів:
для труб
Тип інструмента:
обрізний інстр.
Недоступний
Енкодер: інкрементальний; THT; 15імп./об; Поз: 30; 5ВDC; 10мА
Енкодер: інкрементальний; THT; 15імп./об; Поз: 30; 5ВDC; 10мА

261,02 грн

Діаметр осі:
6мм
Довжина осі:
19,5мм
Кількість всіх позицій:
30
Монтаж:
THT
Модуль; одиночний транзистор; 60В; 500А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 60В; 500А; SOT227B; пригвинчуваний

2224,41 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга сток-джерело:
60В
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; штекерний; неекранований; 4А; HDC; 1,5м
Кабель: до датчиків; PIN: 4; штекерний; неекранований; 4А; HDC; 1,5м

5601,25 грн

Довжина проводу:
1,5м
Кількість пін:
4
Колір ізоляції:
синій
Конструкція кабелю/переходу:
штекерний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK