Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 6А; Idm: 22,2А; 4,12Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: DMN6068LK3-13
25,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN6068LK3-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 68мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 4,12Вт
Струм стока: 6А
Струм стоку в імпульсі: 22,2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 40Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 830мА
Перетворювач: DC/DC; 40Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 830мА

9159,92 грн

Використання:
залізнична галузь
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідна напруга 2:
-24В DC
Вихідний струм:
0,83А
Вимикач максимального струму; 230ВAC; Iном: 16А; Полюси: 1; 10кА
Вимикач максимального струму; 230ВAC; Iном: 16А; Полюси: 1; 10кА

856,56 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898; IEC EN 60947-2
Кількість полюсів:
1
Клас герметичності:
IP20
Конденсатор: поліпропиленовий; 1,5мкФ; 470ВAC; Ø25x58,5мм; ±5%
Конденсатор: поліпропиленовий; 1,5мкФ; 470ВAC; Ø25x58,5мм; ±5%

287,63 грн

Виводи:
проводи
Висота:
58,5мм
Діаметр:
25мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 33,2кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 33,2кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,73 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; Iконтактів max: 16А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; Iконтактів max: 16А

234,41 грн

Висота:
15,7мм
Зовнішні розміри:
29x15,7x12,7мм
Імпульсний струм:
25А
Кількість пін:
8
Недоступний
Резистор: thin film; 60,4Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 60,4Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 816Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 816Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK

171,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8

15,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
28,4нКл
Корпус:
PowerDI3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA

336,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
10,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В