1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,2А; Idm: 52А; 15Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,2А; Idm: 52А; 15Вт
Немає в наявності
Код товару: BUK6D43-60EX
31,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BUK6D43-60EX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 18нКл
Корпус: DFN6; SOT1220
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 93мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 15Вт
Струм стока: 8,2А
Струм стоку в імпульсі: 52А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: цифровий; конфігурується,багатофункціональна; IN: 3; SMD
IC: цифровий; конфігурується,багатофункціональна; IN: 3; SMD

3,37 грн

Вид входу:
з тригером Шмітта
Вид затвору:
багатофункціональна; конфігурується
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
MicroPak6
Конденсатор: керамічний; 440нФ; 50ВDC; C0G (NP0)
Конденсатор: керамічний; 440нФ; 50ВDC; C0G (NP0)

98,83 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
440нФ
Робоча напруга:
50В DC
Тип конденсатора:
керамічний
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; DO213AB; SMD; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; DO213AB; SMD; ролик,cтрічка

480,87 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
70пФ
Корпус:
DO213AB
Монтаж:
SMD
Конденсатор: поліпропиленовий; DC-Link; 510мкФ; 900ВDC; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; DC-Link; 510мкФ; 900ВDC; ±10%

8267,88 грн

Виводи:
болтове
Вид конденсатора:
DC-Link
Допуск:
±10%
Ємність:
510мкФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 3A; 100V

48,15 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 220В; односпрямована; DO201AE; 1.5KE; Ammo Pack
Діод: TVS; 1,5кВт; 220В; односпрямована; DO201AE; 1.5KE; Ammo Pack

9,12 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Корпус:
DO201AE
Монтаж:
THT
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 2; 2,5÷5,5ВDC; MSOP8; 3мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 2; 2,5÷5,5ВDC; MSOP8; 3мВ

59,55 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; універсальний
Вхідна напруга зміщення нуля:
3мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,1нА
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD