Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,3А; Idm: 58,3А; 2,1Вт

Немає в наявності
Код товару: DMN6013LFG-7
19,96 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: DMN6013LFG-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 55,4нКл
Корпус: PowerDI3333-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 18мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,1Вт
Струм стока: 8,3А
Струм стоку в імпульсі: 58,3А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2кОм; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2кОм; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C

0,21 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A

1801,19 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
3м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 9,41÷9,9В; SMD; DO219AC,microSMF
Діод: зенера; 0,5Вт; 9,41÷9,9В; SMD; DO219AC,microSMF

1,40 грн

Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±3%
Зенерівська напруга:
9,41...9,9В
Корпус:
DO219AC; microSMF
Недоступний
Резистор: thick film; 1,8кОм; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 1,8кОм; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; 100ppm/°C

0,17 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
1,8кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 590Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 590Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
590Ом
Недоступний
Наконечник ключа; динамометрична,насадковий,накидний
Наконечник ключа; динамометрична,насадковий,накидний

1842,37 грн

Type of wrench accessories:
наконечник ключа
Вид ключа:
динамометрична; накидний; насадковий
Матеріал:
загартована сталь; хром-нікелева сталь
Розмір гнізда тримача - мм:
14x18мм
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1000мкФ; 25ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1000мкФ; 25ВDC; ±20%

21,22 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD