Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 85А; 83Вт; DFN5x6

Немає в наявності
Код товару: AONS62602
79,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: AONS62602
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 78нКл
Корпус: DFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 2,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83Вт
Струм стока: 85А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 4кБEEPROM; Microwire; 256x16бит; TSSOP8; туба
IC: пам'ять EEPROM; 4кБEEPROM; Microwire; 256x16бит; TSSOP8; туба

25,28 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
Microwire
Корпус:
TSSOP8
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 6,67В; 58,3А; односпрямована; DO214AA,SMB
Діод: TVS; 600Вт; 6,67В; 58,3А; односпрямована; DO214AA,SMB

14,51 грн

Зворотна напруга макс.:
6В
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
6,67В
Недоступний
Threading die: metric; M4,5; 0.75; Thk: 7mm; 6g; Silver; VAP
Threading die: metric; M4,5; 0.75; Thk: 7mm; 6g; Silver; VAP

920,55 грн

Type of threading die:
метрична
Відповідність стандарту:
DIN 223 B; DIN EN 22568
Діаметр зовнішній:
20мм
Допуск:
6g
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 2,2кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В
Резистор: вуглецевий; 2,2кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В

5,45 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Кабель: до датчиків; PIN: 4; штекерний; 25м; вилка; 4А; HDC; PUR
Кабель: до датчиків; PIN: 4; штекерний; 25м; вилка; 4А; HDC; PUR

15129,90 грн

Довжина кабелю:
25м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Колір ізоляції:
зелений
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; D2PAK

148,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 30А; 0,66Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 30А; 0,66Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
U-DFN2020-6 Type E
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
D2PAK; TO263