Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO252-3

Немає в наявності
Код товару: IPD038N06N3GATMA1
112,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPD038N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO252-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 3,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 188Вт
Струм стока: 90А
Технологія: OptiMOS™ 3
Тип транзистора: N-MOSFET
Діод: TVS; 75В; 5,9А; двоспрямована; ±5%; DO15; 600Вт; P6KE
Діод: TVS; 75В; 5,9А; двоспрямована; ±5%; DO15; 600Вт; P6KE

41,81 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
64,1В
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWF; 0,27мкФ; 250ВDC; THT; ±3%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWF; 0,27мкФ; 250ВDC; THT; ±3%

14,25 грн

Допуск:
±3%
Ємність:
0,27мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
7,5мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; THT; 3A; 250V

387,10 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
28,6мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 75пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 75пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 10мкФ; 400ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 10мкФ; 400ВDC; ±20%

43,72 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
16мм
Властивості конденсаторів:
великий імпульсний струм; висока довговічність
Діаметр:
10мм
Недоступний
Резистор: thin film; 21,5Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 21,5Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

47,52 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 72МГц; LQFP64; 2÷3,6ВDC; -40÷85°C
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 72МГц; LQFP64; 2÷3,6ВDC; -40÷85°C

487,20 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Властивості інтегральних мікросхем:
CRC; DMA; PdR; PoR; PVD; watchdog; операційний підсилювач
Інтерфейс:
CAN; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART; USART; USB
Кількість входів/виходів:
51
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 0,22А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 0,22А; 0,35Вт; SOT23

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
0,7нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,765А
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,765А

2,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,9нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK

240,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK

103,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,4нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь

729,22 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
PG-HDSOP-16
Монтаж:
SMD