Транзистор: N-MOSFET; польовий; 620В; 2,7А; 45Вт; DPAK; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STD3N62K3
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STD3N62K3
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: DPAK
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 620В
Опір в стані провідності: 2,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 45Вт
Струм стока: 2,7А
Технологія: SuperMesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Теплопровідна прокладка; графітова; L: 51мм; W: 27мм; Thk: 0,2мм
Теплопровідна прокладка; графітова; L: 51мм; W: 27мм; Thk: 0,2мм

115,31 грн

Kind of heat transfer pad:
графітова
Type of heatsink accessories:
heat transfer pad
Діаметр монтажного отвору:
4,6мм
Довжина:
51мм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 47мкГн; 0,72А; R: 0,37Ом
Реактор: дротяний; SMD; 47мкГн; 0,72А; R: 0,37Ом

9,69 грн

Властивості дроселів:
велика потужність
Застосування реакторів:
перетворювачі DC/DC
Індуктивність:
47мкГн
Корпус - мм:
0504
Антена: комунікаційна; GSM,ISM,WiFi; -5дБі; лінійна; на панель
Антена: комунікаційна; GSM,ISM,WiFi; -5дБі; лінійна; на панель

549,92 грн

Type of antenna:
communication
Вид антени:
GSM; ISM; WiFi
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
47мм
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; екранований,правий,прямий; 1м
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; екранований,правий,прямий; 1м

1590,22 грн

Довжина кабелю:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: thin film; 2,67кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 2,67кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм

44,98 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; SMD; DO213AA; 2мкА
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; SMD; DO213AA; 2мкА

343,39 грн

Зенерівська напруга:
6,4В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Недоступний
Резистор: thin film; 16,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 16,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; D2PAK

148,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 30А; 0,66Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 30А; 0,66Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
U-DFN2020-6 Type E
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
D2PAK; TO263