Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10,9А; 104,2Вт; PG-VSON-4

Немає в наявності
Код товару: IPL65R340CFDAUMA1
138,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPL65R340CFDAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-VSON-4
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,34Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 104,2Вт
Струм стока: 10,9А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід; SF/UTP; ETHERLINE® ROBOT PN Cat.5e; 1x4x22AWG; Cat 5e
Провід; SF/UTP; ETHERLINE® ROBOT PN Cat.5e; 1x4x22AWG; Cat 5e

452,36 грн

Bластивості проводів:
жили, зкручені четвірками
Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Датчик: індуктивний; 3мм; M8; Підключення: M12; IP68,IP69K
Датчик: індуктивний; 3мм; M8; Підключення: M12; IP68,IP69K

8166,51 грн

Дальність:
3мм
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Корпус датчика:
M8
Матеріал корпусу:
нержавіюча сталь
Недоступний
Резистор: thin film; 280Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 280Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; SMD; 330мкГн; ±10%; 280мА; ферит; Ø: 5мм; 3,3Ом
Реактор: дротяний; SMD; 330мкГн; ±10%; 280мА; ферит; Ø: 5мм; 3,3Ом

10,33 грн

Високосортність:
30
Діаметр:
5мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,33мГн
Недоступний
Резистор: thick film; 1,8Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%
Резистор: thick film; 1,8Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%

3,66 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Недоступний
Трансформатор: литий; 20ВА; 230ВAC; 18В; 18В; 556мА; 556мА; PCB; BVEI
Трансформатор: литий; 20ВА; 230ВAC; 18В; 18В; 556мА; 556мА; PCB; BVEI

1079,58 грн

Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-6:2000; UL 5085-1; UL 5085-3
Вторинна напруга 1:
18В
Вторинна напруга 2:
18В
Зовнішні розміри:
74x47,3x43,2мм
Недоступний
Резистор: thick film; 143Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 143Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
143Ом
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD