Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11,3А; Idm: 72А; 150Вт; TO247

Немає в наявності
Код товару: STW25N60M2-EP
214,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STW25N60M2-EP
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 29нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,175Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм стока: 11,3А
Струм стоку в імпульсі: 72А
Тип транзистора: N-MOSFET
Трансформатор: мережевий; 20ВА; 230ВAC; 14В; 1,42А; на шину DIN
Трансформатор: мережевий; 20ВА; 230ВAC; 14В; 1,42А; на шину DIN

973,77 грн

Виводи:
затискна планка
Використання:
для домофонів; для переривистого режиму роботи
Вторинна напруга 1:
14В
Монтаж:
на шину DIN
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 200мА; Iмакс: 100А; PTS1206; 1206
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 200мА; Iмакс: 100А; PTS1206; 1206

7,60 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Застосування запобіжників:
датчики; електронні додатки; захист побутової техніки; ігрові приставки; материнські плати ПК; мобільні телефони; приводи двигунів DC; пристрої пост. струму
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,53 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1,5нФ
IC: цифровий; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; ролик,cтрічка
IC: цифровий; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; ролик,cтрічка

17,74 грн

Вид затвору:
NAND
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
quad; 4
Корпус:
SO14
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C

0,15 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1828,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3