Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 13,1А; 208Вт; PG-TO220-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SPP20N65C3
328,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SPP20N65C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: PG-TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,19Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 208Вт
Струм стока: 13,1А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 33,2Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 33,2Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,92 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
33,2Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 51мОм; 1210; ±5%; -55÷155°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 51мОм; 1210; ±5%; -55÷155°C; 100ppm/°C

2,65 грн

Допуск:
±5%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Резистор: thick film; 20мОм; 3,2x1,63x0,8мм
Резистор: thick film; 20мОм; 3,2x1,63x0,8мм

9,95 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Зовнішні розміри:
3,2x1,63x0,8мм
Опір:
20мОм
Розміри корпусу:
3,2x1,63x0,8мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 94; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 94; THT; 3A; 100V

410,54 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 250В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 250В; X7R; ±10%; SMD; 1206

11,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Конденсатор: металізований PPS; SMR; 10нФ; 50ВDC; 30ВAC; THT; ±5%
Конденсатор: металізований PPS; SMR; 10нФ; 50ВDC; 30ВAC; THT; ±5%

48,78 грн

Alias:
F211JF103J050ALG5C
Вид матеріалу:
що самогаситься
Довжина відводів:
16,5мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 82кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; PS; 200В
Резистор: thick film; 82кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; PS; 200В

1,12 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1828,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3