Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 13А; Idm: 80А; 170Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: STB28N65M2
102,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: STB28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: D2PAK
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,18Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 170Вт
Струм стока: 13А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 2; OUT: транзисторний; 5кВ; SOIC8; 20мА
Оптрон; SMD; Ch: 2; OUT: транзисторний; 5кВ; SOIC8; 20мА

134,31 грн

Вид виходу:
транзисторний
Кількість каналів:
2
Корпус:
SOIC8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; 250В
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; 250В

1405,86 грн

Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Провід; EcoFlex®; EcoGen®; 8x22AWG; неекранований; 600В; 30,5м; Cu
Провід; EcoFlex®; EcoGen®; 8x22AWG; неекранований; 600В; 30,5м; Cu

29427,30 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид кабелю:
EcoGen®
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

5,77 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Мірник: мультіметр цифровий; ВAC: 600мВ,6В,60В,600В,1кВ; IP67
Мірник: мультіметр цифровий; ВAC: 600мВ,6В,60В,600В,1кВ; IP67

19351,27 грн

Батарея/акумулятор:
батарея AA 1,5В x3
Вид вжитого дисплея:
LCD
Вимір:
активної провідності; ємкості; напруги AC; напруги DC; резистансу; струму AC; струму DC; температури; частоти
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Недоступний
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD

95,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт

200,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
78нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,7А; 0,76Вт; SOT23; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,7А; 0,76Вт; SOT23; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 0,6Вт; SOT23; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 0,6Вт; SOT23; ESD

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 500мА; Idm: 1,2А; 500мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 500мА; Idm: 1,2А; 500мВт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
0,95нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; SOT223

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD