Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 14А; Idm: 35А; 98Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: FCB199N65S3
130,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: FCB199N65S3
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,199Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 98Вт
Струм стока: 14А
Струм стоку в імпульсі: 35А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 84,5кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 84,5кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Резистор: thick film; 280кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 280кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Перемикач: кнопковий; 22мм; синій; IP65; виступаюча; E; Поз: 2
Перемикач: кнопковий; 22мм; синій; IP65; виступаюча; E; Поз: 2

167,89 грн

Властивості перемикачів:
без символу
Кількість всіх позицій:
2
Клас герметичності:
IP65
Колір кнопки:
синій
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; DIP; THT
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; DIP; THT

2624,18 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вхідна напруга:
9...36В DC
Зовнішні розміри:
25,4x25,4x10,2мм
Кількість виходів:
1
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 128МбFLASH; QUAD SPI; 133МГц; 1,7÷2В; BGA24
IC: пам'ять FLASH; 128МбFLASH; QUAD SPI; 133МГц; 1,7÷2В; BGA24

240,12 грн

Вид пам’яті:
NOR
Вид упаковки:
лоток
Використання:
Automotive
Інтерфейс:
QUAD SPI
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 190В; 10А; Idm: 40А; 85Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 190В; 10А; Idm: 40А; 85Вт; TO252

28,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
TO252
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 110А; 165Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 110А; 165Вт; TO220

75,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK

83,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK

108,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 63А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 63А; 140Вт; DPAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK