Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 16А; Idm: 70А; 250Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHB24N65E-E3
172,33 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 50
Крок додавання: 50
Код товару: SIHB24N65E-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 122нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,145Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 16А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Тип транзистора: N-MOSFET
Connector: wire-board; male; data; POWER; 4.2A,7.5A; 250V; PIN: 12
Connector: wire-board; male; data; POWER; 4.2A,7.5A; 250V; PIN: 12

33,71 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
12
Резистор: thick film; 39Ом; 3,1x2,6x0,55мм
Резистор: thick film; 39Ом; 3,1x2,6x0,55мм

3,62 грн

Опір:
39Ом
Розміри корпусу:
3,1x2,6x0,55мм
Тип резистора:
thick film
Недоступний
Транзистор: NPN / PNP; біполярний; додаткова пара; 12В; 0,5А
Транзистор: NPN / PNP; біполярний; додаткова пара; 12В; 0,5А

4,94 грн

Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT666
Монтаж:
SMD
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; екранований,кутовий; вилка; 30В
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; екранований,кутовий; вилка; 30В

3669,54 грн

Довжина проводу:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
TPU
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: thin film; 34кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3ARB
Резистор: thin film; 34кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3ARB

11,78 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 562Ом; 1218; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 562Ом; 1218; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C

13,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1218
Корпус - мм:
3246
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252