Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 17,5А; 151Вт; PG-TO262-3

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 17,5А; 151Вт; PG-TO262-3
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: IPI65R190CFDXKSA1
Price: 175.49 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IPI65R190CFDXKSA1

175,49 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

IPI65R190CFDXKSA1

Виробник:

INFINEON TECHNOLOGIES

Вид каналу:

збагачений

Корпус:

PG-TO262-3

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

650В

Опір в стані провідності:

0,19Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

151Вт

Струм стока:

17,5А

Технологія:

CoolMOS™

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Бажані

Резистор: thick film; 2,2МОм; 2Вт; -65÷200°C; 200ppm/°C

16,66 грн

Опір:
2,2мОм

Потужність:
2Вт

Робоча температура:
-65...200°C

Температурний коефіцієнт:
200ppm/°C

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 6,6А; TO220F

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
26нКл

Корпус:
TO220F

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 30А; 17,5Вт; TO220F

72,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
26,5нКл

Корпус:
TO220F

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6,6А; 190Вт; TO247; ESD

321,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 600В; 12А; 150Вт

190,70 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247

505,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
TO92

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
63нКл

Корпус:
TO220AB