Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20А; Idm: 128А; 250Вт; TO247

Немає в наявності
Код товару: STW40N65M2
334,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STW40N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 56,5нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 87мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 128А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 24; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 24; SMT; straight

65,26 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
9,1мм
Електричний монтаж:
SMT
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603

63,99 грн

Alias:
C0603C472F5GAC7867
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Резистор: thick film; 820Ом; 5Вт; ±5%; SMF; -55÷200°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 820Ом; 5Вт; ±5%; SMF; -55÷200°C; 100ppm/°C

35,73 грн

Допуск:
±5%
Опір:
820Ом
Потужність:
5Вт
Робоча температура:
-55...200°C
Недоступний
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В

1,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 330пФ; 50В; X7R; ±10%; THT; 2,5мм
Конденсатор: керамічний; 330пФ; 50В; X7R; ±10%; THT; 2,5мм

3,26 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,33нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 953кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 953кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В

0,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247

505,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3

346,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
90нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 10,7А; 30Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 10,7А; 30Вт; ESD

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 24А; 74Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 24А; 74Вт; TO3PF

282,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO3PF
Монтаж:
THT