Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26,5А; 250Вт; D2PAK; ESD

Немає в наявності
Код товару: STB57N65M5
835,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STB57N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: D2PAK
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 63мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 26,5А
Технологія: SuperMesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Лічильник: електронний; робочий час; LCD; Діапазон: 0÷99999,9ч
Лічильник: електронний; робочий час; LCD; Діапазон: 0÷99999,9ч

1537,63 грн

Вид вжитого дисплея:
LCD
Вид входу 1:
від напруги
Висота дисплея 1:
6,7мм
Джерело живлення:
внутр. батарея
Недоступний
Конденсатор: поліпропіленсульфідні; ECHU; SMD; 0,018мкФ; ±5%
Конденсатор: поліпропіленсульфідні; ECHU; SMD; 0,018мкФ; ±5%

25,91 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
18нФ
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
100В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 15Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; CRGH
Резистор: thick film; 15Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; CRGH

8,81 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 47мкФ; 400ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 47мкФ; 400ВDC; ±20%

74,13 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид упаковки:
Ammo Pack
Висота:
20мм
Властивості конденсаторів:
великий імпульсний струм; висока довговічність; висока надійність; компактні розміри корпусу
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; THT; 3A; 250V

43,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
15,6мм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь

38,01 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
17нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
10,4нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK

184,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD