Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3,1А; Idm: 20А; 96Вт; IPAK

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STD5NM60-1
70,96 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STD5NM60-1
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 18нКл
Корпус: IPAK
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 96Вт
Струм стока: 3,1А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Технологія: MDmesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 1,1А; Iмакс: 100А; 0ZCF; 2920
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 1,1А; Iмакс: 100А; 0ZCF; 2920

10,77 грн

Корпус - дюйм:
2920
Максимальна напруга:
33В
Максимальний струм:
100А
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Наконечник; конус; 0,8мм; для паяльника; 3шт.
Наконечник; конус; 0,8мм; для паяльника; 3шт.

530,92 грн

Застосування паяльного обладнання:
для паяльника
Кількість в наборі/упаковці:
3шт.
Розміри наконечника:
0,8мм
Супутні товари:
WEL.WLIR6023C; WEL.WLIRK6023C
Резистор: thin film; 10,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 10,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Голка: пластикова еластична; 1,5"; Розмір: 14; пряма; 1,6мм
Голка: пластикова еластична; 1,5"; Розмір: 14; пряма; 1,6мм

83,63 грн

Діаметр внутрішній:
1,6мм
Довжина - дюйм:
1,5"
Колір корпусу:
оливковий
Кріплення:
Luer Lock
Конденсатор: керамічний; 56пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 56пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,25 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
56пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 110А; Idm: 440А; 104,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 110А; Idm: 440А; 104,2Вт

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 75А; Idm: 300А; 59Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 75А; Idm: 300А; 59Вт; TO220-3

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 28А; Idm: 112А; 59,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 28А; Idm: 112А; 59,5Вт

113,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
269нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT