1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3,9А; Idm: 28А; 167Вт; TO220

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3,9А; Idm: 28А; 167Вт; TO220
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BXP7N65P
51,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BXP7N65P
Виробник: BRIDGELUX
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 21нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 1,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 167Вт
Струм стока: 3,9А
Струм стоку в імпульсі: 28А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210

28,45 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thin film; 2,94кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 2,94кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,40 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

3,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Резистор: thick film; 5,23Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 5,23Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

0,51 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; 3,3В; 500мА; SMD; -40÷125°C; Ch: 1
IC: стабілізатор напруги; 3,3В; 500мА; SMD; -40÷125°C; Ch: 1

0,00 грн

Вихідна напруга:
3,3В
Вихідний струм:
0,5А
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Недоступний
Мікрофон; електретний; 100Гц÷10кГц; -28дБ; Ø7x3,3мм; 500мкА; 1÷10В
Мікрофон; електретний; 100Гц÷10кГц; -28дБ; Ø7x3,3мм; 500мкА; 1÷10В

166,62 грн

Виводи:
провода з втичкою
Вид мікрофону:
електретний
Довжина проводу:
0,35м
Зовнішні розміри:
Ø7x3,3мм
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт

763,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
128нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

662,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
287нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC

217,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт

1384,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
162нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В