Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 30А; Idm: 69А; 240Вт; TO220-3

Немає в наявності
Код товару: NTP110N65S3HF
330,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTP110N65S3HF
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 62нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,11Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 240Вт
Струм стока: 30А
Струм стоку в імпульсі: 69А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 2кОм; THT; 250мВт; ±1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 2кОм; THT; 250мВт; ±1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

28,70 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 78; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 78; SMT; straight

258,49 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
9,1мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thin film; 348кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 348кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; NS; 200В
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; NS; 200В

0,84 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 287Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 287Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

2,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,2x2,5x0,55мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; 0201

0,27 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,8пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 270Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 270Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; CQ; 200В

0,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А

95,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB

140,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

214,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

157,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А

241,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO262
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 25А; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 25А; TO247-3

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT