Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 30А; Idm: 84А; 208Вт; TO220-3

Немає в наявності
Код товару: NTP095N65S3H
356,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTP095N65S3H
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 58нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 95мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 208Вт
Струм стока: 30А
Струм стоку в імпульсі: 84А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 90,9кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 90,9кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 412Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 412Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 7,5Ом; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: thin film; 7,5Ом; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм

10,26 грн

Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,79 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,7пФ
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Світловий бар'єр безпеки; H: 610мм; 18м; AD; 24ВDC; 0÷55°C
Світловий бар'єр безпеки; H: 610мм; 18м; AD; 24ВDC; 0÷55°C

88444,10 грн

Висота:
610мм
Властивості датчиків:
захист руки
Дальність:
18м
Напруга живлення:
24В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 150Ом; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 150Ом; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В; 100ppm/°C

3,63 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
150Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,6пФ
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А

95,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB

140,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

214,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

157,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А

241,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO262
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 25А; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 25А; TO247-3

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT