Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 30А; Idm: 84А; 40Вт; TO220FP

Немає в наявності
Код товару: NTPF095N65S3H
393,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTPF095N65S3H
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 58нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 95мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 40Вт
Струм стока: 30А
Струм стоку в імпульсі: 84А
Тип транзистора: N-MOSFET
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; 15А; 300В
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; 15А; 300В

140,02 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Клас горючості:
UL94V-0
Колір корпусу:
чорний
Матеріал корпусу:
термопласт
Недоступний
Обслуговування інтерфейсу; 10÷60°C; 458x66x178мм; H: 178мм
Обслуговування інтерфейсу; 10÷60°C; 458x66x178мм; H: 178мм

20973,80 грн

Висота:
178мм
Робоча температура:
10...60°C
Розміри:
458x66x178мм
Супутні товари:
IGN-113484
Недоступний
Реле: електромагнітнe; 48ВDC; 3PDT; Iконтактів max: 10А; 60.13
Реле: електромагнітнe; 48ВDC; 3PDT; Iконтактів max: 10А; 60.13

1606,69 грн

Зовнішні розміри:
36,4x32,5x54,2мм
Конфігурація контактів:
3PDT
Макс. струм контактів:
10А
Матеріал контакту:
AgNi + Au
Недоступний
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±10%; AS; 500В
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±10%; AS; 500В

4,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
2512
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 200Вт; TO220AB

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
146нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; TO220AB

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

658,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 98А; 150Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 98А; 150Вт; TO247AC

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
113,3нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC

352,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,9А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,9А; 190Вт; TO247AC

273,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
200нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 1,6А; Idm: 7А; 18Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 1,6А; Idm: 7А; 18Вт

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
TO220FP