Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 31,2А; 277,8Вт; PG-TO262-3

Немає в наявності
Код товару: IPI65R110CFDXKSA1
327,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPI65R110CFDXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO262-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,11Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 277,8Вт
Струм стока: 31,2А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; 68мкФ; 20ВDC; E; 2917; SMD; TCJ
Конденсатор: танталово-полімерний; 68мкФ; 20ВDC; E; 2917; SMD; TCJ

80,46 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
68мкФ
Корпус:
E
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0805

3,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,47мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 267Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 267Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Реле: електромагнітнe; DPDT; Uкотушки: 48ВDC; 30А; макс.600ВAC
Реле: електромагнітнe; DPDT; Uкотушки: 48ВDC; 30А; макс.600ВAC

0,00 грн

Виводи:
для друку
Зовнішні розміри:
52,32x34,54x30,73мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
30А
Дисплей: LCD; графічний; 128x32; COG,FSTN Positive; білий; LED
Дисплей: LCD; графічний; 128x32; COG,FSTN Positive; білий; LED

731,75 грн

Cенсорна панель:
немає
Вид дисплея:
графічний
Вид контролера:
ST7565R
Інтерфейс:
SPI
Резистор: thick film; 215Ом; 1,6x0,81x0,46мм
Резистор: thick film; 215Ом; 1,6x0,81x0,46мм

195,13 грн

Опір:
215Ом
Розміри корпусу:
1,6x0,81x0,46мм
Тип резистора:
thick film
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 27; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 27; SMT; straight

76,66 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
9,1мм
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт

763,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
128нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

662,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
287нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC

217,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт

1384,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
162нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В