Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 33А; Idm: 120А; 250Вт; TO220-3

Немає в наявності
Код товару: STP50N65DM6
437,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP50N65DM6
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 52,5нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 91мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 33А
Струм стоку в імпульсі: 120А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; Iконтактів max: 6А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; Iконтактів max: 6А

148,89 грн

Виводи:
для друку
Електрична стійкість:
30000 цикли
Зовнішні розміри:
28x5x15мм
Конфігурація контактів:
SPDT
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 88; THT; 3A; vertical; 2.54mm
Connector: pin strips; data; PIN: 88; THT; 3A; vertical; 2.54mm

401,04 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
88
Клас горючості:
UL94V-0
Резистор: thin film; 210кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 210кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

8,87 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 3,65кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 3,65кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Діод: TVS збірка; 13,3В; 0,3кВт; двоспрямована; SOIC8; Ch: 5
Діод: TVS збірка; 13,3В; 0,3кВт; двоспрямована; SOIC8; Ch: 5

128,61 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
75пФ
Зворотна напруга макс.:
12В
Кількість каналів:
5
Недоступний
Резистор: thin film; 1,43кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 1,43кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

21,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Крокодилоподібний зажим; 8А; 60ВDC; 30ВAC; синій; Довж.заг: 41,5мм
Крокодилоподібний зажим; 8А; 60ВDC; 30ВAC; синій; Довж.заг: 41,5мм

116,57 грн

Діапазон захоплення:
макс. 4мм
Загальна довжина:
41,5мм
Колір:
синій
Матеріал контакту:
бронза
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1818,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3