Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 38А; 278Вт; PG-TO263-3

Немає в наявності
Код товару: IPB65R099C6ATMA1
440,95 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPB65R099C6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO263-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 99мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 278Вт
Струм стока: 38А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; вилка; PUR; IP65,IP67; автоматика
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; вилка; PUR; IP65,IP67; автоматика

13641,05 грн

Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Насадка: 6-гранна; ізольований,насадковий; HEX 22мм; 3/8"
Насадка: 6-гранна; ізольований,насадковий; HEX 22мм; 3/8"

1475,55 грн

Вид ключа:
ізольований; насадковий
Відповідність стандарту:
DIN 7448
Розмір гнізда:
HEX 22мм
Розмір гнізда тримача - дюйм:
3/8"
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа",М12 "мама"; CAN-Bus; вилка
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа",М12 "мама"; CAN-Bus; вилка

2577,93 грн

Довжина проводу:
0,3м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP68
Недоступний
Калібр різьби; M8; метрична; 1,25; NO-GO; 6g
Калібр різьби; M8; метрична; 1,25; NO-GO; 6g

2141,41 грн

Вид різьблення:
метрична
Використання інструментів:
для зовнішньої різьби
Відповідність стандарту:
DIN 13; DIN ISO 1502
Допуск:
6g
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 01005; 30мВт,31мВт; ±5%
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 01005; 30мВт,31мВт; ±5%

2,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
0,4x0,2мм
Імпульсна макс. напруга:
30В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; SMT; 3A; 250V

143,82 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Конденсатор: керамічний; 1пФ; 50В; C0G (NP0); SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; 1пФ; 50В; C0G (NP0); SMD; 0201

0,49 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1пФ
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD