Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 53А; Idm: 175А; 500Вт; TO247

Немає в наявності
Код товару: NTHL033N65S3HF
431,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 450
Крок додавання: 450
Код товару: NTHL033N65S3HF
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 188нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 33мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 500Вт
Струм стока: 53А
Струм стоку в імпульсі: 175А
Технологія: SuperFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 56; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 56; SMT; straight

212,24 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
15,5мм
Електричний монтаж:
SMT
Резистор: thick film; 69,8Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 69,8Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Роз’єм: провід-плата; вилка; Iном: 4А; 250В; PIN: 8; вертикальне
Роз’єм: провід-плата; вилка; Iном: 4А; 250В; PIN: 8; вертикальне

17,11 грн

Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
8
Клас горючості:
UL94V-0
Колір корпусу:
натуральний
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В

0,77 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 32кБSRAM,128кБFLASH; QFN32; 1,71÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер ARM; 32кБSRAM,128кБFLASH; QFN32; 1,71÷3,6ВDC

217,94 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Інтерфейс:
I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
28
Корпус:
QFN32
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 43,2÷52,8ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 83мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 43,2÷52,8ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 83мА

228,08 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
83мА
Вхідна напруга:
43,2...52,8В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Кабель; 0,0762м; U.FL; чорний; кутовий,прямий; 6ГГц; 50Ом
Кабель; 0,0762м; U.FL; чорний; кутовий,прямий; 6ГГц; 50Ом

63,99 грн

Довжина кабелю:
76,2мм
Імпеданс:
50Ом
Колір ізоляції:
чорний
Конструкція кабелю/переходу:
U.FL
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO251

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 24А; Idm: 96А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 24А; Idm: 96А; 34Вт; TO220FP

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
41,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP

176,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А

236,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO220-3