1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6А; 27,8Вт; TO220FP

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6А; 27,8Вт; TO220FP
Немає в наявності
Код товару: IPA65R660CFDXKSA1
77,29 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPA65R660CFDXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,66Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 27,8Вт
Струм стока: 6А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; THT; 3A; 250V

534,09 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 200В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 200В; C0G (NP0); ±5%; SMD

1,81 грн

Alias:
C0805C101J2GAC7800
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Провід; ÖLFLEX® ROBUST 210; 10G1,5мм2; неекранований; 300В,500В
Провід; ÖLFLEX® ROBUST 210; 10G1,5мм2; неекранований; 300В,500В

639,26 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
негалогенний
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 190÷210В; 1,5А; односпрямована; SMA; P4SMA
Діод: TVS; 0,4кВт; 190÷210В; 1,5А; односпрямована; SMA; P4SMA

25,34 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
171В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 3N; push-in; 100mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 3N; push-in; 100mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,8мм
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 3,5кБ; 32МГц; MSSP (SPI / I2C); SMD; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 3,5кБ; 32МГц; MSSP (SPI / I2C); SMD; PIC16

41,81 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; watchdog
Інтерфейс:
MSSP (SPI / I2C)
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В

1,14 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO251

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 24А; Idm: 96А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 24А; Idm: 96А; 34Вт; TO220FP

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
41,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP

176,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А

236,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO220-3