Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO252-3

Немає в наявності
Код товару: IPD65R660CFDBTMA1
70,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPD65R660CFDBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO252-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,66Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 62,5Вт
Струм стока: 6А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 74; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 74; SMT; straight

245,19 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
9,1мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 910кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 910кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; NQ; 200В

2,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 72; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 72; THT; 3A; 100V

204,64 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 200мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 200мА

404,21 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Зовнішні розміри:
11,53x6,1x7,46мм
Недоступний
Резистор: thick film; 2,67кОм; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW
Резистор: thick film; 2,67кОм; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 3A; 250V

58,92 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 23,2Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 23,2Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 95А; Idm: 378А; 64Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 95А; Idm: 378А; 64Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,1нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114,6нКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
167нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8

26,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD