Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6А; Idm: 26А; 7Вт; PG-SOT223

Немає в наявності
Код товару: IPN60R360P7SATMA1
15,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: IPN60R360P7SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-SOT223
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,36Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 7Вт
Струм стока: 6А
Струм стоку в імпульсі: 26А
Технологія: CoolMOS™ P7
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 300кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В
Резистор: thick film; 300кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В

3,12 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 80,6кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 80,6кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 226Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 226Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 68кОм; SMD; 100мВт; ±1%; 50В; 1x0,5x0,32мм
Резистор: thin film; 68кОм; SMD; 100мВт; ±1%; 50В; 1x0,5x0,32мм

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1x0,5x0,32мм
Кількість в наборі/упаковці:
10000шт.
Недоступний
Резистор: thin film; 90,9кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 90,9кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

126,71 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: thick film; 1,2кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,2кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; WFA; 2мкФ; 250В; 25x15,5x11мм; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; WFA; 2мкФ; 250В; 25x15,5x11мм; THT

4,75 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±10%
Ємність:
2мкФ
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK

171,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8

15,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
28,4нКл
Корпус:
PowerDI3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA

336,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
10,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В