Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 8,7А; 83,3Вт; PG-TO252-3

Немає в наявності
Код товару: IPD65R420CFDBTMA1
91,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPD65R420CFDBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO252-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,42Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83,3Вт
Струм стока: 8,7А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 48; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 48; SMT; straight

151,42 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
12,5мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; 32МГц; SMD; UQFN36; PIC24; туба
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; 32МГц; SMD; UQFN36; PIC24; туба

136,85 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CLC x4; CRC; DMAC x6; HLVD; LCD controller; PoR; RTCC; watchdog
Інтерфейс:
ADC; FIFO; I2C x2; I2S; IrDA; JTAG; LIN; PMBus; PPS; RS232; RS485; SPI x2; UART x4
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC

524,58 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Конденсатор: керамічний; 3,9нФ; 2кВDC; X7R; ±10%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; 3,9нФ; 2кВDC; X7R; ±10%; SMD; 1812

39,91 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
3,9нФ
Корпус - дюйм:
1812
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 8А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 8А

319,94 грн

Alias:
SLD 3.50/16/90F 3.2SN OR BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
26,5мм
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJ6DQF
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJ6DQF

2,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Резистор: thick film; 38,3кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 38,3кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

1,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD