Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 12А; Idm: 24А; 180Вт; TO220AB

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTP12N70X2
220,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP12N70X2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 19нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 0,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 180Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 24А
Тип транзистора: N-MOSFET
Блок живлення: імпульсний; LED,поза приміщенням; 60Вт; IP67; 93%
Блок живлення: імпульсний; LED,поза приміщенням; 60Вт; IP67; 93%

1267,74 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED; поза приміщенням
Вхідна напруга:
100...277В
Додаткові функції:
активне PFC
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 3кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 3кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1812

111,51 грн

Alias:
C1812C100JHGAC7800
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thin film; 352кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 352кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 931Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 931Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RC; -55÷155°C

0,00 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 47Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 47Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

1,55 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Провід; SF/UTP; ETHERLINE® Cat.5e; 4x2x24AWG; Cat 5e; дріт; Cu
Провід; SF/UTP; ETHERLINE® Cat.5e; 4x2x24AWG; Cat 5e; дріт; Cu

222,38 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка Al; подвійно екранований
Будова жили:
дріт
Недоступний
Резистор: thin film; 110Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 110Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%

34,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт

763,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
128нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

662,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
287нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC

217,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт

1384,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
162нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В