Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPD70R1K4P7SAUMA1
49,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPD70R1K4P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO252-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±16В
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 1,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 22,7Вт
Струм стока: 2,5А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 10мкФ; 450ВDC; Растр: 5мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 10мкФ; 450ВDC; Растр: 5мм; ±20%

0,00 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
21мм
Діаметр:
13мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0603

0,57 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 6,19кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 6,19кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C

0,00 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; NS; 75В
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; NS; 75В

0,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 3,3мкФ; 160ВAC; 250ВDC; 22,5мм; ±5%
Конденсатор: поліестровий; 3,3мкФ; 160ВAC; 250ВDC; 22,5мм; ±5%

57,02 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Властивості конденсаторів:
конденсатори із збільшеним ресурсом
Довжина відводів:
6мм
Недоступний
Резистор: thick film; 402Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 402Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD