Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2А; 38Вт; IPAK

Немає в наявності
Код товару: TSM70N1R4CH C5G
65,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TSM70N1R4CH C5G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 7,7нКл
Корпус: IPAK
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 1,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 38Вт
Струм стока: 2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 16кбEEPROM; 2-wire,I2C; 2Кx8бит; 1,7÷5,5В
IC: пам'ять EEPROM; 16кбEEPROM; 2-wire,I2C; 2Кx8бит; 1,7÷5,5В

17,74 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
2-wire; I2C
Кількість циклів макс.:
1м
Пуск.компл: Microchip AVR; ATTINY; Curiosity Nano; макетна плата
Пуск.компл: Microchip AVR; ATTINY; Curiosity Nano; макетна плата

612,65 грн

Властивості пускових комплектів і програматорів:
вбудований програматор / відладчик
Інтерфейс:
I2C; SPI; USART x2
Компоненти:
ATTINY3227
Підключення:
USB C; штирьове
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 15; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 15; THT; 1.5A; 60V

134,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
4,1мм
Довжина відводів:
4,4мм
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 14; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 14; THT; 1.5A; 60V

178,66 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
5,5мм
Довжина відводів:
12,4мм
Недоступний
IC: driver; high-side,контролер затворів; MillerDrive™; SO8; Ch: 1
IC: driver; high-side,контролер затворів; MillerDrive™; SO8; Ch: 1

91,87 грн

Вид виходу:
що інвертує
Вид об'єднаної схеми:
high-side; контролер затворів
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 200В; 30А; TO247AC; туба; Ufmax: 1,2В; Ir: 10мкА
Діод: випрямний; THT; 200В; 30А; TO247AC; туба; Ufmax: 1,2В; Ir: 10мкА

155,85 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
TO247AC
Недоступний
Діод: перемикальний; SMD; 100В; 215мА; 4нс; SOT23; Ufmax: 1,25В
Діод: перемикальний; SMD; 100В; 215мА; 4нс; SOT23; Ufmax: 1,25В

0,85 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 40А
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 40А

1657,38 грн

Вид транзистора:
каскодний
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
TO247-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 17А; 103Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 17А; 103Вт; TO247

560,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс

394,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
185нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™

752,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
224нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс

377,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Заряд затвора:
50нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™

598,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
85нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™

1096,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
PLUS247™