Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4,7А; 35Вт; TO220FP; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STP9NK70ZFP
224,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP9NK70ZFP
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220FP
Модель: ESD
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 1,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 35Вт
Струм стока: 4,7А
Технологія: SuperMesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Діод: TVS; 600Вт; 12В; 36А; односпрямована; ±5%; SMB; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 600Вт; 12В; 36А; односпрямована; ±5%; SMB; ролик,cтрічка

46,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
10,2В
Корпус:
SMB
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; THT; 3A; 250V

516,98 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 3,5МГц; Ch: 2; 4,5÷40ВDC; SO8; 0,35мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 3,5МГц; Ch: 2; 4,5÷40ВDC; SO8; 0,35мВ

39,28 грн

Використання:
автомобільна галузь
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,35мВ
Вхідний поляризаційний струм:
10пА
Недоступний
Tip: desoldering; 0.6x1mm
Tip: desoldering; 0.6x1mm

764,07 грн

Застосування паяльного обладнання:
для відпайки; для чищення контактних майданчиків
Розміри наконечника:
0,6x1мм
Супутні товари:
JBC-DS-A; JBC-DSS-2D
Тип наконечника:
desoldering
Недоступний
Резистор: thick film; 8,66кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 8,66кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
IC: цифровий потенціометр; SPI; QFN20; SMD; туба
IC: цифровий потенціометр; SPI; QFN20; SMD; туба

84,26 грн

Вид пам’яті:
енергозал.
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
QFN20
Недоступний
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±5%; SP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±5%; SP; 200В; -55÷155°C

5,51 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 18А
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 18А

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
29нКл
Напруга сток-джерело:
650В
Струм стока:
18А
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; 71Вт; PG-TO262-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; 71Вт; PG-TO262-3

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO262-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 36А; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 36А; TO247

533,45 грн

Корпус:
TO247
Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Опір в стані провідності:
78мОм
Струм стока:
36А
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; TO247-4; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; TO247-4; автомобільна галузь

620,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO247-4
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO220-3

360,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 25А; 42Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 25А; 42Вт; TO220F

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 150В; 140А; 258Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 150В; 140А; 258Вт; TO220

177,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT