Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STP10NK70ZFP
275,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP10NK70ZFP
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 90нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 0,85Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 35Вт
Струм стока: 5,4А
Струм стоку в імпульсі: 34А
Технологія: SuperMesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,39 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 1,91Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 1,91Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

9,63 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,4пФ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,53 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,3пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,2пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,2пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,2пФ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
33пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 1,78кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 1,78кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,50 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт

648,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 156Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 156Вт

273,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
29,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 214А; Idm: 856А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 214А; Idm: 856А; 333Вт

301,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 53А; 142Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 53А; 142Вт; TO220-3

254,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 133А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 133А; 200Вт; TO220AB

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB

89,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт

853,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
0,22мкКл