Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 75А; Idm: 550А; 200Вт; D2PAK

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRF3808STRLPBF
191,97 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRF3808STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 75В
Опір в стані провідності: 7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 200Вт
Струм стока: 75А
Струм стоку в імпульсі: 550А
Технологія: HEXFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 910кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; 50В
Резистор: thick film; 910кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; 50В

0,03 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Вимикач максимального струму; Uном: 240ВAC; 28ВDC; 7А; SPST; IP40
Вимикач максимального струму; Uном: 240ВAC; 28ВDC; 7А; SPST; IP40

1395,72 грн

Виводи:
конектори
Діелектрична міцність:
1,5кВ AC
Довжина гвинта:
10мм
Застосування вимикачів:
для захисту побутових приладів; для захисту промислових пристроїв
Недоступний
Резистор: thick film; 22кОм; 0201; 50мВт; ±1%; AF; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22кОм; 0201; 50мВт; ±1%; AF; -55÷155°C

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
0,6x0,3мм
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 3A; 250V

340,22 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 1N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 1N; push-in; 30mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
3мм
Недоступний
Резистор: thick film; 280кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 280кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; гніздовий; прямий; Дл: 500мм; вилка
Кабель: до датчиків; PIN: 4; гніздовий; прямий; Дл: 500мм; вилка

3217,19 грн

Довжина кабелю:
0,5м
Довжина проводу:
0,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
HSMT8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
PQFN5X6
Транзистор: N-MOSFET; 133В; 1,333кВт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; 133В; 1,333кВт; ESD

23751,30 грн

Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±10В
Напруга сток-джерело:
133В