Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 75А; Idm: 612А; 300Вт
Brand: NEXPERIA
SKU: BUK9606-75B,118
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 75А; Idm: 612А; 300Вт

Немає в наявності

Код товару: BUK9606-75B,118

0,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 800

Крок додавання: 800

Код товару:

BUK9606-75B,118

Виробник:

NEXPERIA

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Використання:

автомобільна галузь

Заряд затвора:

95нКл

Корпус:

D2PAK; SOT404

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±15В

Напруга сток-джерело:

75В

Опір в стані провідності:

12,8мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

300Вт

Струм стока:

75А

Струм стоку в імпульсі:

612А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Недоступний

Бажані

Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 0,3м; вилка; 230ВDC; 230ВAC; 4А

830,59 грн

Довжина кабелю:
0,3м

Кількість пін:
4

Клас герметичності:
IP65; IP67

Колір ізоляції:
помаранчевий

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 1,18кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,57 грн

Допуск:
±1%

Корпус - дюйм:
0805

Корпус - мм:
2012

Опір:
1,18кОм

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 301кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%

Імпульсна макс. напруга:
500В

Корпус - дюйм:
2817

Корпус - мм:
7142

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±8В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
5,1нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO252-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
77нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO263-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
82нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
7,1нКл

Корпус:
DFN3x3 EP

Монтаж:
SMD