Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 140Вт; DPAK

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 140Вт; DPAK
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: IRFR3607TRPBF
Price: 35.61 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IRFR3607TRPBF

35,61 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2000

Крок додавання: 2000

Код товару:

IRFR3607TRPBF

Виробник:

INFINEON TECHNOLOGIES

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

ролик

Корпус:

DPAK

Монтаж:

SMD

Напруга сток-джерело:

75В

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

140Вт

Струм стока:

80А

Технологія:

HEXFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 1,2МОм; високої потужності; SMD; 4320; 5Вт

21,03 грн

Вид резистора:
високої потужності

Допуск:
±1%

Імпульсна макс. напруга:
600В

Корпус - дюйм:
4320

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK

171,06 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка

Заряд затвора:
9,3нКл

Корпус:
SOT223

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
13нКл

Корпус:
TO252

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8

15,27 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
28,4нКл

Корпус:
PowerDI3333-8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA

336,42 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна

Заряд затвора:
10,1нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
200нКл

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-12...16В