Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 90А; 310Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: FDB045AN08A0
184,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDB045AN08A0
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 138нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 75В
Опір в стані провідності: 8,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 310Вт
Струм стока: 90А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 15,6В; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 15,6В; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

269,26 грн

Зворотна напруга макс.:
14В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять EEPROM; 2-wire,I2C; SOP8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 2-wire,I2C; SOP8; послідовний

9,44 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
2-wire; I2C
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 29; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 29; THT; 1.5A; 60V

928,79 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
13,8мм
Довжина відводів:
4мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 180мм

1,50 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь

38,01 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
17нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
10,4нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK

184,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD