Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 16А; Idm: 85А; 625Вт; D3PAK

Немає в наявності
Код товару: APT24M80S
733,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT24M80S
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 150нКл
Корпус: D3PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 390мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 625Вт
Струм стока: 16А
Струм стоку в імпульсі: 85А
Технологія: POWER MOS 8®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2Mx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2Mx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48

1429,30 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
лоток; туба
Корпус:
TFBGA48
Монтаж:
SMD
Резистор: thin film; 27Ом; 63мВт; 1,55x0,8x0,45мм
Резистор: thin film; 27Ом; 63мВт; 1,55x0,8x0,45мм

8,11 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Опір:
27Ом
Потужність:
63мВт
Розміри корпусу:
1,55x0,8x0,45мм
Недоступний
Модуль: діодний; подвійний,спільний катод; 800В; If: 165А; 34MM
Модуль: діодний; подвійний,спільний катод; 800В; If: 165А; 34MM

703,88 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
34MM
Резистор: thin film; 715Ом; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 715Ом; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: metal film; 715Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 715Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

15,97 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,1нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,1нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,66 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 40; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 40; THT; straight

74,13 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
29мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8