Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,47А; Idm: 15,6А; 130Вт

Немає в наявності
Код товару: FQI4N80TU
96,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FQI4N80TU
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: I2PAK
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 3,6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 130Вт
Струм стока: 2,47А
Струм стоку в імпульсі: 15,6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід; HELUCONTROL® JZ-620-HMH; JZ; 12G1,5мм2; неекранований
Провід; HELUCONTROL® JZ-620-HMH; JZ; 12G1,5мм2; неекранований

784,97 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
JZ
Резистор: вуглецевий; 2,7Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 200В; Ш0,45x28мм
Резистор: вуглецевий; 2,7Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 200В; Ш0,45x28мм

0,89 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,85мм
Довжина:
3,5мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2.3mm; GKS-112; CuBe; 0.8N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2.3mm; GKS-112; CuBe; 0.8N; push-in; 20mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2,3мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 8,1÷9,9ВDC; Uвих: 9ВDC; Uвих.2: -9ВDC
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 8,1÷9,9ВDC; Uвих: 9ВDC; Uвих.2: -9ВDC

207,81 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вихідна напруга 2:
-9В DC
Вихідний струм:
56мА
Вхідна напруга:
8,1...9,9В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 1206

1,28 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD

4,82 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
6,8нФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 250V

655,73 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; TO220AB

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
160нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220AB

148,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 72А; 130Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 72А; 130Вт; TO247AC

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86,7нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 13А; 280Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 13А; 280Вт; TO247AC

316,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,21мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 130А; 520Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 130А; 520Вт; TO247AC

326,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
161нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,5А; 160Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,5А; 160Вт; TO220-3

299,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,8А; 110Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,8А; 110Вт; TO220-3; ESD

152,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD