Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,5А; Idm: 12А; 63Вт

Немає в наявності
Код товару: SPD04N80C3ATMA1
36,43 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SPD04N80C3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO252-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 1,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 63Вт
Струм стока: 2,5А
Струм стоку в імпульсі: 12А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 1,5кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 1,5кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

3,67 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 20; straight; THT; 2.54mm
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 20; straight; THT; 2.54mm

65,26 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
20
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 14А; Idm: 130А; 2,27Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 14А; Idm: 130А; 2,27Вт

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
164нКл
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 900В; 7,8А; Idm: 52А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 900В; 7,8А; Idm: 52А; 183Вт

423,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
TO247-3
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

1,95 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAI
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAI

1279,15 грн

Довжина проводу:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR; ПВХ
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP65; IP67
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.3mm; GKS-422; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.3mm; GKS-422; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
8мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
1,3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,6А; Idm: 6,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,6А; Idm: 6,4А; 1,25Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
1,5нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 500мА; Idm: 1А; 300мВт; SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 500мА; Idm: 1А; 300мВт; SOT523

6,97 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,4нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 130А; Idm: 520А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 130А; Idm: 520А; 100Вт

81,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
41нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 800В; 7А; 200Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 800В; 7А; 200Вт; TO263

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
TO263