Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт
Brand: VISHAY
SKU: IRFBE30SPBF
Price: 200.20 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: IRFBE30SPBF

200,20 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

IRFBE30SPBF

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

78нКл

Корпус:

D2PAK; TO263

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

800В

Опір в стані провідності:

3Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

125Вт

Струм стока:

2,6А

Струм стоку в імпульсі:

16А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 5,1МОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,15 грн

Допуск:
±1%

Корпус - дюйм:
0805

Корпус - мм:
2012

Монтаж:
SMD

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
16нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DPAK

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
TSOP6

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Заряд затвора:
48нКл